概述 该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性 功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。 电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，工作 电压范围覆盖 2V 到 7V。27℃，VDD=5V 条件下最大 持续输出电流达到0.6A，最大峰值输出电流达到1A。 该单路为功率器件，本身具备一定内阻，电路 的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度 密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时 监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时 (典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电 流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造 成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置 的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才 允许重新对功率管进行控制

   特性  低待机电流 (小于 0.1uA)  低导通内阻 MOSFET 功率开关管 — 采用 MOS 工艺设计功率管 — 100 毫安通道功率管内阻 0.7 欧姆 — 500 毫安通道功率管内阻 0.8 欧姆  内部集成续流二极管 — 无需外接续流二极管  超小型封装尺寸 — 采用 SOT23-6 封装 — 含引脚外形尺寸 2.92mm*2.8mm  较小的输入电流 — 集成约 53K 对地下拉电阻 — 3V 驱动信号平均 56.5uA 输入电流  内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)  抗静电等级：3KV (HBM)

  应用范围  遥控玩具飞机尾翼马达驱动  遥控玩具飞机舵机马达驱动  玩具直流电机驱动  数码产品的马达驱动

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